Céramiques techniques — Méthode d’essai pour les défauts de surface des cristaux de GaN — Partie 1: Classification des défauts

Le présent document donne une classification des dislocations et des défauts induits par le process parmi les différents défauts de surface rencontrés sur les substrats de nitrure de gallium (GaN) monocristallin ou les films de GaN monocristallin.

Il est applicable aux dislocations et défauts induits par le process émergents à la surface des types de substrats ou de films de GaN suivants:

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substrat de GaN monocristallin;

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film de GaN monocristallin formé par croissance homoépitaxiale sur un substrat de GaN monocristallin;

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film de GaN monocristallin formé par croissance hétéroépitaxiale sur un substrat monocristallin d’oxyde d’aluminium (Al₂O₃), de carbure de silicium (SiC) ou de silicium (Si).

Il n’est pas applicable aux défauts émergents à la surface si la valeur absolue de l’angle aigu entre la perpendiculaire à la surface et l’axe c du GaN est supérieur ou égal à 8°.